TCL華星Oxide TFT技術，為大尺寸AMOLED而生

近年來，隨著半導體顯示技術的不斷更新，消費者對電子產(chǎn)品的顯示性能也提出了更高的要求，需求的倒逼加速了面板技術的發(fā)展，Oxide TFT技術由此應運而生。該技術在AMOLED有巨大的應用價值，尤其是在大尺寸、超高清、3D顯示、高像素密度和低功耗等領域都有顯著優(yōu)勢。

當前，主流的TFT技術有a-Si、LTPS及Oxide三種。其中，Oxide技術以其高遷移率、低功耗（漏電流低）及大面積均一性好等優(yōu)勢，越來越受到大眾的關注，而TCL華星在該技術領域的深入探尋，也使其有了更大的市場前景。

氧化物薄膜晶體管（Oxide TFT）是利用場效應原理工作的一種半導體器件，其核心結構為半導體有源層/柵極絕緣層/柵極金屬層薄膜疊層。目前大部分Oxide TFT中的半導體層采用的都是銦鎵鋅氧化物（即IGZO），它是一種In/Ga/Zn/O（即IGZO）四種化學元素按一定比例形成的化合物。相比a-Si材料，IGZO憑借獨特的載流子傳導機制,可在非晶的狀態(tài)下獲得高的電子遷移率

與傳統(tǒng)a-Si TFT顯示屏對比，Oxide TFT顯示屏解決了a-Si方案現(xiàn)階段穩(wěn)定性與遷移率的技術瓶頸，顯示性能得到提升；而LTPS受限于設備以及良率等問題主要應用于小尺寸OLED，其在大尺寸OLED上的應用還有一定困難。所以，隨著Oxide TFT技術在大尺寸AMOLED顯示領域的普及與推廣，未來可能會受到更多消費者的青睞。

作為半導體科技行業(yè)先鋒、顯示領域引領者，TCL華星不僅擁有業(yè)內(nèi)高端的大尺寸OLED生產(chǎn)線，同時也掌握了前沿的Oxide TFT技術。

高分辨大尺寸

TCL華星采用銅制程頂柵Oxide TFT器件結構，產(chǎn)品寄生電容和RC loading較小，遠低于其他結構，因此能夠滿足高分辨率和高刷新率產(chǎn)品的需求，更加適合于大尺寸顯示面板。

穩(wěn)定性高

為獲得更高性能的Oxide TFT器件，TCL華星致力于技術改進，首先通過優(yōu)化關鍵膜層的制程工藝獲得了高可靠度的Top gate IGZO TFT器件，并成功將它應用到柔性基板上。其次導入了新型Oxide材料，進一步提升了器件特性。

工藝成本低

TCL華星也持續(xù)致力于頂發(fā)射（T/E）減光罩背板技術開發(fā)，通過設計新型TFT實現(xiàn)了光罩數(shù)量的減少；通過工藝與流程優(yōu)化，合并不同膜層光罩，實現(xiàn)了兼具較高產(chǎn)品品質(zhì)及較低生產(chǎn)成本的工藝流程，提升了產(chǎn)品成本競爭力。

全球首款17”打印式OLED卷軸屏

應用場景方面，TCL華星結合自身先進技術與科研實力，積極推動相關產(chǎn)品落地?；贠xide TFT技術，TCL華星融合了高精度噴墨印刷工藝及頂發(fā)光的器件結構已推出兩款高質(zhì)量樣品——全球首款17”打印式OLED卷軸屏和31”UD噴墨打印OLED，作為TCL華星重點產(chǎn)品，也曾于TCL華星全球生態(tài)顯示大會（DTC）上亮相，引發(fā)業(yè)內(nèi)的廣泛關注和熱議。與此同時，TCL華星也實現(xiàn)了頂柵Oxide TFT在G11產(chǎn)線的導入，IGZO U% <3%,器件穩(wěn)定性達到業(yè)內(nèi)領先水平，業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)了G11世代線Oxide TFT-IJP OLED點亮。

31”UD噴墨打印OLED

未來，依托于不斷探索的創(chuàng)新追求和成熟穩(wěn)定的產(chǎn)線、工藝，TCL華星不僅能夠?qū)xide TFT顯示屏做大做強，加速推動其量產(chǎn)落地，為行業(yè)打開更大的“視界”想象，還會積極發(fā)展OLED相關方面技術，將更好的顯示產(chǎn)品呈現(xiàn)給廣大消費者。